Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
8 kilobitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuitos Integrados
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:EEPROM
-Tensión de alimentación:2,5 V ~ 5,5 V
Frecuencia de reloj:3 megahercios
Organización de la memoria:1 mil x 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:5 milisegundos
Interfaz de Memoria:microalambre
