Distribuidor Autorizado, Compre Componentes Electrónicos en Línea R1RW0416DSB-2LR # Memoria B0 44 TSOP
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Atributos
Componente y PiezaTipo
4 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Circuitos IntegradosCaracterísticas
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM
-Tensión de alimentación:3V ~ 3,6V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:256K por 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:12 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
4 megabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Circuitos Integrados
Tipo de memoria
VOLÁTIL
La tecnología
SRAM
-Tensión de alimentación
3V ~ 3,6V
Frecuencia de reloj
-
Organización de la memoria
256K por 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
12 segundos
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
100 - 3,099 unidades
EUR 0.5566
>= 3,100 unidades
EUR 0.2783
Variantes
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R1RW0416DSB 2LR # b0
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