Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
4 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito Integrado Chip
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NAND (SLC)
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:104 megahercios
Organización de la memoria:1G por 4
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:600 micros
Interfaz de Memoria:SPI - E/S cuádruple, DTR
