Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
4 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Partes y Componentes Electrónicos
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM - LPDDR4X móvil
-Tensión de alimentación:1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:1,6 gigahercios
Organización de la memoria:128M por 32
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:18 segundos
Interfaz de Memoria:lámpara de luz
