Authorized Distributor Buy Electronics Components Online GCMX020A120B3H1P Module Transistors
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Atributos
Montaje del chasisTipo de montaje
FETs, MOSFETsAplicación funcional
GCMX020A120B3H1PNúmero de Modelo
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
ModulePackage / Case
Description:MOSFET 4N-CH 1200V 93A
Package:Tray
Technology:Silicon Carbide (SiC)
Configuration:4 N-Channel (Full Bridge)
Características clave
Tipo de montaje
Montaje del chasis
Aplicación funcional
FETs, MOSFETs
Número de Modelo
GCMX020A120B3H1P
Lugar del origen
China
Marca
Original
Package / Case
Module
Description
MOSFET 4N-CH 1200V 93A
Package
Tray
Technology
Silicon Carbide (SiC)
Configuration
4 N-Channel (Full Bridge)
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
100 - 3,099 unidades
EUR 6241
>= 3,100 unidades
EUR 3121
Variantes
ElegirCaracterísticas
GCMX020A120B3H1P
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