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Distribuidor Autorizado, Compre Componentes Electrónicos en Línea, Transistores SISH103DN-T1-GE3 PowerPAK 1212-8SH

Sin reseñas
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100-3,099 unidades
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≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

SISH103DN-T1-GE3

Marca

Original

Descripción

MOSFET de potencia de canal P de 30 V (D-S)

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

PowerPAK 1212-8SH

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
SISH103DN-T1-GE3
Marca
Original
Descripción
MOSFET de potencia de canal P de 30 V (D-S)
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
PowerPAK 1212-8SH
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
TrenchFET
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
P-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
30 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
16A (Ta), 54A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
155mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
2540 pF @ 15 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±25V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal P
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

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