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UNITE CHANCE CO., LIMITED
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100-3,099 unidades
EUR 0.3447
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

HUF76609D3ST

Marca

Original

Descripción

MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

TO-252AA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

FET característica
-
PAQUETE/cubierta
TO-252AA
Descripción
MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA
Número de pieza del fabricante
HUF76609D3ST
Marca
Original
Lugar del origen
China
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
UltraFET
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
100 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
10A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
160mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
425 pF @ 25 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±16V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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