Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
1 MbitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Accesorios para Componentes Electrónicos
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Asíncrono
-Tensión de alimentación:2,2 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:128K por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:45 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
