Distribuidor Autorizado, Compre en Línea Componentes Electrónicos MT40A1G8Z11BWC1 Memoria Die
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Atributos
SDRAM - DDR4La tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
1G por 8Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
8 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Bandeja
Aplicación:Memoria
Características:Componentes de Chips Electrónicos
-Tensión de alimentación:1,14 V ~ 1,26 V
Frecuencia de reloj:-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
La tecnología
SDRAM - DDR4
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
1G por 8
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
8 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Componentes de Chips Electrónicos
-Tensión de alimentación
1,14 V ~ 1,26 V
Frecuencia de reloj
-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
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>= 3,001 unidades
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MT40A1G8Z11BWC1
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