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Componentes Electrónicos Distribuidor Autorizado IDT71V3579S85PF 100 Memoria LQFP

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Atributos

SRAM - Sincrónico, SDRLa tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
256 mil x 18Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
4,5 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Bandeja
Aplicación:Memoria
Características:Circuito Integrado Chip IC
-Tensión de alimentación:3,135 V ~ 3,465 V
Frecuencia de reloj:-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo

Características clave

La tecnología
SRAM - Sincrónico, SDR
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
256 mil x 18
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
4,5 Mbits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Circuito Integrado Chip IC
-Tensión de alimentación
3,135 V ~ 3,465 V
Frecuencia de reloj
-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
Paralelo

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores
Devolución fácil
100 - 3,099 unidades
EUR 0.4712
>= 3,100 unidades
EUR 0.2356

Variantes

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Especificación

identificación71V3579S85PF

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