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Distribuidor Autorizado de Componentes Electrónicos IPI100N12S305AKSA1 PG-TO262-3-1 Transistores

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Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

IPI100N12S305AKSA1

Marca

Original

Descripción

MOSFET Canal N_100+

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

PG-TO262-3-1

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
IPI100N12S305AKSA1
Marca
Original
Descripción
MOSFET Canal N_100+
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
PG-TO262-3-1
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
OptiMOS T
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
120 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
100A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
5.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 240µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
185 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
11570 pF @ 25 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
A través del agujero
Embalaje
A granel, Tubo
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

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