Componentes Electrónicos Distribuidor Autorizado MT29F4G01ABAFD12-AUT:F Memoria TR
Puntuación de la tienda:
4.5
(2 reseñas)
Atributos
FLASH - NAND (SLC)La tecnología
-Tipo de memoria
4G por 1Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
4 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y Carrete (TR)
Aplicación:Memoria
Características:Circuito integrado de chip de componente electrónico IC
-Tensión de alimentación:-
Frecuencia de reloj:-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:interfaz serie
Características clave
La tecnología
FLASH - NAND (SLC)
Tipo de memoria
-
Organización de la memoria
4G por 1
Tipo
Componente y Pieza
-Tensión de alimentación
-
Aplicación
Memoria
Características
Circuito integrado de chip de componente electrónico IC
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Frecuencia de reloj
-
Lugar del origen
China
Tamaño de la memoria
4 gigabits
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Interfaz de Memoria
interfaz serie
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete por lote
1X1X1 cm
Peso bruto por lote
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
2,000 - 4,999 unidades
EUR 1.87
>= 5,000 unidades
EUR 0.9333
Variantes
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MT29F4G01ABAFD12 AUT: F TR
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