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Distribuidor Autorizado de Componentes Electrónicos MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR Memoria

Sin reseñas
EUR2634
2,000-4,999 unidades
EUR1317
≥5,000 unidades
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Código de fecha de fabricación

NUEVO

Características principales

Marca

Original

Número de pieza del fabricante

MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR

Tipo de montaje

-

Tamaño de la memoria

32Gbit

Lugar del origen

China

Descripción

IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ FBGA

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Características clave

Marca
Original
Número de pieza del fabricante
MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR
Tipo de montaje
-
Tamaño de la memoria
32Gbit
Lugar del origen
China
Descripción
IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ FBGA
Tipo de embajaje
Cinta y carrete (TR)
Temperatura de funcionamiento
-30°C ~ 85°C (TC)
PAQUETE/cubierta
-
Serie
-
Tipo de memoria
VOLÁTIL
La tecnología
SDRAM - LPDDR4 móvil
-Tensión de alimentación
1.1V
Frecuencia de reloj
1.866 GHz
Organización de la memoria
512M x 64
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de memoria
-
Formato de memoria
DRAM

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

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