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≥3,100 unidades
Cantidad
Características principales
Número de pieza del fabricante
SIR510DP-T1-RE3
Marca
Original
Descripción
MOSFET de potencia de canal N de 100 V (D-S)
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
PowerPAK SO-8
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
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Características clave
Número de pieza del fabricante
SIR510DP-T1-RE3
Marca
Original
Descripción
MOSFET de potencia de canal N de 100 V (D-S)
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
PowerPAK SO-8
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
TrenchFET Gen V
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
100 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
31A (Ta), 126A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
3.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
4980 pF @ 50 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
7.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores