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UNITE CHANCE CO., LIMITED
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Principales mercados: Estados Unidos de América, República de Corea, India, Argentina, Líbano

Distribuidor Autorizado de Transistores DMN10H220LPDW-13 8-PowerTDFN, Chips Electrónicos, Componentes

Sin reseñas
EUR 0.1414
100-3,099 unidades
EUR 0.0707
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

DMN10H220LPDW-13

Marca

Original

Descripción

MOSFET 2N-CH 100V 8A PWRDI50

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

8-PowerTDFN

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

FET característica
-
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Poder-Max
2.2W (Ta)
PAQUETE/cubierta
8-PowerTDFN
Descripción
MOSFET 2N-CH 100V 8A PWRDI50
Número de pieza del fabricante
DMN10H220LPDW-13
Marca
Original
Lugar del origen
China
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
100V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
222mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
6.7nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
384pF @ 25V
Tipo de montaje
Montaje en superficie, flanco mojable
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Configuración
2 Canales N (Doble)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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