





Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
1 gigabitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito Integrado IC
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NO
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:64M por 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:60 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo













