Distribuidor Autorizado de Componentes Electrónicos CY7C1911JV18-300BZC 165 LBGA Memoria
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Atributos
SRAM - Sincrónico, QDR IILa tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
2M por 9Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
18 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Bandeja
Aplicación:Memoria
Características:Componente Electrónico
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 1,9 V
Frecuencia de reloj:300 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
La tecnología
SRAM - Sincrónico, QDR II
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
2M por 9
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
18 megabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Componente Electrónico
-Tensión de alimentación
1,7 V ~ 1,9 V
Frecuencia de reloj
300 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
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Devolución fácil
7 - 3,006 unidades
EUR 1897
>= 3,007 unidades
EUR 949
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CY7C1911JV18 300BZC
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