Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
8 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuitos Integrados
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM - LPDDR2 móvil
-Tensión de alimentación:1,14 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:533 megahercios
Organización de la memoria:256M por 32
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
