Distribuidor Autorizado de Componentes Electrónicos MX25R6435FZAIH0 8 WDFN Memoria de Placa Expuesta
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Atributos
FLASH - NOLa tecnología
No volátilTipo de memoria
8M por 8Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
64 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Bandeja
Aplicación:Memoria
Características:Componente Electrónico
-Tensión de alimentación:1,65 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:80 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:100 µs, 4 ms
Interfaz de Memoria:SPI - E/S cuádruples
Características clave
La tecnología
FLASH - NO
Tipo de memoria
No volátil
Organización de la memoria
8M por 8
Tipo
Componente y Pieza
-Tensión de alimentación
1,65 V ~ 3,6 V
Aplicación
Memoria
Características
Componente Electrónico
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
100 µs, 4 ms
Frecuencia de reloj
80 megahercios
Lugar del origen
China
Tamaño de la memoria
64 Mbits
Tipo de embajaje
Bandeja
Interfaz de Memoria
SPI - E/S cuádruples
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete por lote
1X1X1 cm
Peso bruto por lote
0.100 kg
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