Distribuidor Autorizado de Componentes Electrónicos AS4C512M8D3LC-12BCN 78 TFBGA Memoria
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Atributos
SDRAM - DDR3LLa tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
512M x 8 millonesOrganización de la memoria
Componente y PiezaTipo
4 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Bandeja
Aplicación:Memoria
Características:Circuito Integrado Chip
-Tensión de alimentación:1,283 V ~ 1,45 V
Frecuencia de reloj:800 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:15 segundos
Interfaz de Memoria:bolsa
Características clave
La tecnología
SDRAM - DDR3L
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
512M x 8 millones
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
4 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Circuito Integrado Chip
-Tensión de alimentación
1,283 V ~ 1,45 V
Frecuencia de reloj
800 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
15 segundos
Interfaz de Memoria
bolsa
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
1 - 3,000 unidades
EUR 372
>= 3,001 unidades
EUR 186
Variantes
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AS4C512M8D3LC12BCN
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