Distribuidor Autorizado de Componentes Electrónicos EDF8164A3MC-GD-F-R Memoria TR
Sin reseñas
Atributos
Componente y PiezaTipo
8 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Kit de Circuitos IntegradosCaracterísticas
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM - LPDDR3 móvil
-Tensión de alimentación:1,14 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:800 megahercios
Organización de la memoria:128M por 64
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
8 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Kit de Circuitos Integrados
Tipo de memoria
VOLÁTIL
La tecnología
SDRAM - LPDDR3 móvil
-Tensión de alimentación
1,14 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj
800 megahercios
Organización de la memoria
128M por 64
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
2,000 - 4,999 unidades
EUR 572
>= 5,000 unidades
EUR 286
Variantes
ElegirEspecificación
EDF8164A3MC GD FR TR
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