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Distribuidor Autorizado de Componentes Electrónicos, Transistores IMBG40R015M2HXTMA1 PG-TO263-7-11

Sin reseñas
EUR763
100-3,099 unidades
EUR382
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

IMBG40R015M2HXTMA1

Marca

Original

Descripción

SIC-MOS

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

PG-TO263-7-11

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
IMBG40R015M2HXTMA1
Marca
Original
Descripción
SIC-MOS
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
PG-TO263-7-11
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
CoolSiC
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
400 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
11.7A (Ta), 111A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id
5.6V @ 9.7mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
62 nC @ 18 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
2730 pF @ 200 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
15V, 18V
Vgs (Max)
+23V, -7V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
SiCFET (Carburo de Silicio)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

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