Distribuidor Autorizado de Componentes Electrónicos R1RW0408DGE-2PI # Memoria B1 36 BSOJ
Sin reseñas
Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
4 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
TuboTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes Electrónicos en Línea
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM
-Tensión de alimentación:3V ~ 3,6V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:512 mil x 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:12 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
Tipo
Componente y Pieza
Código de fecha de fabricación
Nuevo
Tamaño de la memoria
4 megabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Tubo
Aplicación
Memoria
Características
Componentes Electrónicos en Línea
Tipo de memoria
VOLÁTIL
La tecnología
SRAM
-Tensión de alimentación
3V ~ 3,6V
Frecuencia de reloj
-
Organización de la memoria
512 mil x 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
12 segundos
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
1 - 3000 unidades
EUR 270
>= 3001 unidades
EUR 135
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