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Distribuidor Autorizado de Componentes Electrónicos, Transistores SP8M10FRATB 8-SolC

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100-3,099 unidades
EUR 0.6964
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

SP8M10FRATB

Marca

Original

Descripción

MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)

Temperatura de funcionamiento

150°C

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Características clave

Número de pieza del fabricante
SP8M10FRATB
Marca
Original
Descripción
MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Poder-Max
2W (Ta)
FET característica
La lógica de puerta de nivel 4V Coche
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
30V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
7A (Ta), 4.5A (Ta)
Rds (Max) @ Id Vgs
25mOhm a 7A, 10V, 56mOhm a 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
8.4nC @ 5V, 8.5nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
600pF @ 10V, 850pF @ 10V
Configuración
N and P-Channel
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Configuración
Canal N y P

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

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