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Distribuidor Autorizado de Componentes Electrónicos, Transistores SSM3K56MFV,L3F VESM

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100-3,099 unidades
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≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

SSM3K56MFV,L3F

Marca

Original

Descripción

MOSFET N-CH 20V 800MA VESM

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

VESM

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
SSM3K56MFV,L3F
Marca
Original
Descripción
MOSFET N-CH 20V 800MA VESM
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
VESM
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Serie
U-MOSVII-H
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
20 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
800mA (Ta)
Rds (Max) @ Id Vgs
235mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
1 nC @ 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
55 pF @ 10 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
1.5V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

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