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Distribuidor Autorizado G085C03D32 Transistores 8-PowerVDFN Componente Electrónico

Sin reseñas
EUR 0.3314
100-3,099 unidades
EUR 0.1657
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

G085C03D32

Marca

Original

Descripción

MOSFET N/P-CH 30V 28A 8DFN

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

8-PowerVDFN

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
G085C03D32
Marca
Original
Descripción
MOSFET N/P-CH 30V 28A 8DFN
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
8-PowerVDFN
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Poder-Max
13W (Tc), 30W (Tc)
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
30V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
28A (Tc), 12A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
11mOhm a 10A, 10V, 23mOhm a 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
18nC @ 10V, 25nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1085pF @ 15V, 1352pF @ 15V
Configuración
N and P-Channel
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Cinta cortada (CT)
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Configuración
Canal N y Canal P

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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