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Sin reseñas
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100-3,099 unidades
EUR266
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

IGT65R045D2ATMA1

Marca

Original

Descripción

IGT65R045D2ATMA1

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

PG-HSOF-8

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
IGT65R045D2ATMA1
Marca
Original
Descripción
IGT65R045D2ATMA1
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
PG-HSOF-8
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
CoolGaN G5
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
650 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
38A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
1.6V @ 3.3mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
6 nC @ 3 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
430 pF @ 400 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
-
Vgs (Max)
-10V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
GaNFET (nitruro de galio)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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