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Distribuidor Autorizado IMZA65R007M2HXKSA1 PG-TO247-4-U02 Transistores Chips Electrónicos Componentes

Sin reseñas
EUR1919
100-3,099 unidades
EUR960
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

IMZA65R007M2HXKSA1

Marca

Original

Descripción

MOSFET de carburo de silicio

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

PG-TO247-4-U02

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
IMZA65R007M2HXKSA1
Marca
Original
Descripción
MOSFET de carburo de silicio
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
PG-TO247-4-U02
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
CoolSiC
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
650 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
210A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
6.1mOhm @ 146.3A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id
5.6V @ 29.7mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
179 nC @ 18 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
6359 pF @ 400 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
15V, 20V
Vgs (Max)
+23V, -7V
Tipo de montaje
A través del agujero
Embalaje
Tubo
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

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