Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
256 kilobitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito Integrado
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM
-Tensión de alimentación:3V ~ 3,6V, 4,5V ~ 5,5V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:32K por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:70 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
