Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
1 TbitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
CajaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito integrado de chip de componente electrónico IC
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NAND (TLC)
-Tensión de alimentación:2,6 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:128G por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
