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Distribuidor Autorizado de Memoria, Módulo DIP 28 DS1230AB-200IND, Compre Componentes Electrónicos en Línea

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Atributos

A través del agujeroTipo de montaje
MemoriaAplicación funcional
DS1230AB-200INDNúmero de Modelo
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
Módulo DIP 28 (0,600", 15,24 mm)Empaque
Serie:Memoria
describir:CI NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Organización de Memoria:32K por 8
Interfaz de Memoria:Paralelo
Frecuencia del Reloj:-
Tiempo de Acceso:200 nanos

Características clave

Tipo de montaje
A través del agujero
Aplicación funcional
Memoria
Número de Modelo
DS1230AB-200IND
Lugar del origen
China
Marca
Original
Empaque
Módulo DIP 28 (0,600", 15,24 mm)
Serie
Memoria
describir
CI NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Organización de Memoria
32K por 8
Interfaz de Memoria
Paralelo
Frecuencia del Reloj
-
Tiempo de Acceso
200 nanos

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

17 - 3,016 unidades
EUR 785
>= 3,017 unidades
EUR 393

Variantes

Elegir

Características

DS1230AB 200 unidades

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