





Atributos
DS1245Y-120INDNúmero de Modelo
A través del agujeroTipo de montaje
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
MemoriaAplicación funcional
Módulo DIP 32 (0,600", 15,24 mm)Empaque
Serie:Memoria
describir:IC NVSRAM 1MBIT PARALELO 32EDIP
Organización de Memoria:128K por 8
Interfaz de Memoria:Paralelo
Frecuencia del Reloj:-
Tiempo de Acceso:120 nanos














