Distribuidor Autorizado de Memoria 60 TFBGA MT47H256M8EB-25E:C, Componente Electrónico TR
Puntuación de la tienda:
5.0
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Atributos
SDRAM - DDR2La tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
256M por 8Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
2 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)
Aplicación:Memoria
Características:Circuito integrado de chip de componente electrónico IC
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 1,9 V
Frecuencia de reloj:400 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:15 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
La tecnología
SDRAM - DDR2
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
256M por 8
Tipo
Componente y Pieza
-Tensión de alimentación
1,7 V ~ 1,9 V
Aplicación
Memoria
Características
Circuito integrado de chip de componente electrónico IC
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
15 segundos
Frecuencia de reloj
400 megahercios
Lugar del origen
China
Tamaño de la memoria
2 gigabits
Tipo de embajaje
Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete por lote
1X1X1 cm
Peso bruto por lote
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
1 - 1,999 unidades
EUR 664
>= 2,000 unidades
EUR 418
Variantes
ElegirEspecificación
MT47H256M8EB 25E:C TR
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