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Distribuidor Autorizado de Componentes Electrónicos: Memoria 8 VDFN Exposed Pad MB85RS2MLYPN-GS-AWEWE1

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Código de fecha de fabricación

NUEVO

Características principales

Marca

Original

Número de pieza del fabricante

MB85RS2MLYPN-GS-AWEWE1

Tipo de montaje

Montaje en superficie

Tamaño de la memoria

2Mbit

Lugar del origen

China

Descripción

IC FRAM 2MBIT SPI 50MHZ 8DFN

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Características clave

Marca
Original
Número de pieza del fabricante
MB85RS2MLYPN-GS-AWEWE1
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Tamaño de la memoria
2Mbit
Lugar del origen
China
Descripción
IC FRAM 2MBIT SPI 50MHZ 8DFN
Tipo de embajaje
Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 125°C (TA)
PAQUETE/cubierta
8-VDFN con almohadilla expuesta
Serie
-
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
FRAM (RAM Ferroeléctrica)
-Tensión de alimentación
1.7V ~ 1.95V
Frecuencia de reloj
50 MHz
Organización de la memoria
256K x 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de memoria
SPI
Formato de memoria
FRAM

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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