Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
256 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes Electrónicos en Línea
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM - LPSDR móvil
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:100 megahercios
Organización de la memoria:8M por 32
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:15 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
