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Distribuidor Autorizado NVMFD6H852NLWFT1G 8-DFN Transistores de Doble Etiqueta Componente Electrónico

Sin reseñas
EUR 0.6481
100-3,099 unidades
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≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

NVMFD6H852NLWFT1G

Marca

Original

Descripción

MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

8-DFN (5x6) Doble Bandera (SO8FL-Dual)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
NVMFD6H852NLWFT1G
Marca
Original
Descripción
MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
8-DFN (5x6) Doble Bandera (SO8FL-Dual)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
80 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
7A (Ta), 25A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
25.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 26µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
521 pF @ 40 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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