Distribuidor Autorizado R1EV58064BDARBI # Memoria DIP B2 28, Comprar Componentes Electrónicos en Línea
Distribuidor Autorizado R1EV58064BDARBI # Memoria DIP B2 28, Comprar Componentes Electrónicos en LíneaSin reseñas
5Chips Tech Limited
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Atributos
A través del agujeroTipo de montaje
MemoriaAplicación funcional
R1EV58064BDARBI#B2Número de Modelo
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
28 DIP (0,600", 15,24 mm)Empaque
Serie:Memoria
describir:Circuito integrado EEPROM 64KBIT PARALELO 28DIP
Organización de Memoria:8K por 8
Interfaz de Memoria:Paralelo
Frecuencia del Reloj:-
Tiempo de Acceso:100 nanos
Características clave
Tipo de montaje
A través del agujero
Aplicación funcional
Memoria
Número de Modelo
R1EV58064BDARBI#B2
Lugar del origen
China
Marca
Original
Empaque
28 DIP (0,600", 15,24 mm)
Serie
Memoria
describir
Circuito integrado EEPROM 64KBIT PARALELO 28DIP
Organización de Memoria
8K por 8
Interfaz de Memoria
Paralelo
Frecuencia del Reloj
-
Tiempo de Acceso
100 nanos
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete por lote
1X1X1 cm
Peso bruto por lote
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Devolución fácil
100 - 3,099 unidades
EUR 0.4814
>= 3,100 unidades
EUR 0.2407
Variantes
ElegirCaracterísticas
R1EV58064BDARBI # número 2
Envío
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