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Distribuidor Autorizado TPCF8B01(TE85L,F,M VS-8) Componentes Electrónicos de Transistores

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≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

TPCF8B01(TE85L,F,M

Marca

Original

Descripción

MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

VS-8 (2.9x1.5)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
TPCF8B01(TE85L,F,M
Marca
Original
Descripción
MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
VS-8 (2.9x1.5)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Serie
U-MOSIII
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
P-Channel
FET característica
Diodo Schottky (aislado)
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
20 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
2.7A (Ta)
Rds (Max) @ Id Vgs
110mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.2V @ 200µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
6 nC @ 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
470 pF @ 10 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tipo de FET
Canal P
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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