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UNITE CHANCE CO., LIMITED
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Principales mercados: Estados Unidos de América, República de Corea, Argentina, Líbano

Distribuidor Autorizado de Transistores 2-HWSON RQA0002DNSTB-E, Componentes Electrónicos

Sin reseñas
EUR248
100-3,099 unidades
EUR124
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

RQA0002DNSTB-E

Marca

Original

Descripción

RQA0002DNS - MOSFET de canal N

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

2-HWSON (5x4)

Temperatura de funcionamiento

150°C

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Características clave

FET característica
-
PAQUETE/cubierta
2-HWSON (5x4)
Descripción
RQA0002DNS - MOSFET de canal N
Número de pieza del fabricante
RQA0002DNSTB-E
Marca
Original
Lugar del origen
China
Temperatura de funcionamiento
150°C
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
16 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
3.8A (Ta)
Rds (Max) @ Id Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
750mV @ 1mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
102 pF @ 0 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
-
Vgs (Max)
±5V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
A granel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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