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Distribuidor Autorizado de Transistores 6-DSBGA CSD13303W1015, Componentes de Circuitos Electrónicos

Sin reseñas
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100-3,099 unidades
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≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

CSD13303W1015

Marca

Original

Descripción

MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

6-DSBGA (1x1.5)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
CSD13303W1015
Marca
Original
Descripción
MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
6-DSBGA (1x1.5)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
NexFET
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
12 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
3.5A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
4.7 nC @ 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
715 pF @ 6 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
2.5V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel, a granel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

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