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≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

NTBL050N65S3H

Marca

Original

Descripción

MOSFET - POTENCIA, CANAL N, SUPERFE

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

8-HPSOF

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
NTBL050N65S3H
Marca
Original
Descripción
MOSFET - POTENCIA, CANAL N, SUPERFE
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
8-HPSOF
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
650 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
49A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
50mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 4.8mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
4880 pF @ 400 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
±30V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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