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Distribuidor Autorizado de Transistores 8-SolC STS4DNFS30, Componentes de Circuitos Electrónicos

Sin reseñas
EUR 1.44
100-3,099 unidades
EUR 0.7207
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

STS4DNFS30

Marca

Original

Descripción

MOSFET N-CH 30V 4.5A 8SO

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

8-SOIC

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
STS4DNFS30
Marca
Original
Descripción
MOSFET N-CH 30V 4.5A 8SO
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
8-SOIC
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
STripFET
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
Diodo Schottky (aislado)
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
30 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
4.5A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
55mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
4.7 nC @ 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
330 pF @ 25 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT)
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

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