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Distribuidor Autorizado de Transistores, Componente Electrónico CG2H80120D-GP4

Sin reseñas
EUR 128.04
100-3,099 unidades
EUR 64.02
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

CG2H80120D-GP4

Marca

Original

Descripción

RF MOSFET HEMT 28V DIE

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

Matriz

Serie

GaN

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Características clave

Número de pieza del fabricante
CG2H80120D-GP4
Marca
Original
Descripción
RF MOSFET HEMT 28V DIE
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
Matriz
Serie
GaN
Código de fecha de fabricación
NUEVO
-Frecuencia de transición
8GHz
Corriente nominal (en amperios)
28A
Potencia de salida
120W
-Tensión nominal
84 V
Configuración
-
Tipo de montaje
Standard
Embalaje
Bandeja
Tecnología
HEMT
Configuración
-
Frecuencia
8GHz
Ganancia
12dB

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

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