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Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

G3F75MT12K

Marca

Original

Descripción

1200V 75M TO-247-4 G3F SIC MOSFE

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

TO-247-4

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
G3F75MT12K
Marca
Original
Descripción
1200V 75M TO-247-4 G3F SIC MOSFE
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
TO-247-4
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
100mOhm @ 12A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.3V @ 9mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
48 nC @ 18 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
988 pF @ 800 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
18V
Vgs (Max)
+22V, -10V
Tipo de montaje
A través del agujero
Embalaje
Tubo
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
SiC (Transistor de Unión de Carburo de Silicio)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores