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Distribuidor Autorizado de Transistores TO-263-7 G2R120MT33J-TR, Componentes Electrónicos

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EUR2796
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

G2R120MT33J-TR

Marca

Original

Descripción

3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

TO-263-7

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
G2R120MT33J-TR
Marca
Original
Descripción
3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
TO-263-7
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
LoRing
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
3300 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
33A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
156mOhm @ 15A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 4mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
130 nC @ 20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
3009 pF @ 1000 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
20V
Vgs (Max)
+20V, -5V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
SiCFET (Carburo de Silicio)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

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