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Componentes Electrónicos de Memoria BOM IC en Existencia BY25QM1GFSZIG(Y) 24 TBGA

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Atributos

FLASH - NOLa tecnología
No volátilTipo de memoria
128M x 8 millonesOrganización de la memoria
Componente y PiezaTipo
1 gigabitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Bandeja
Aplicación:Memoria
Características:Componentes de Chips Electrónicos
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:100 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:50 µs, 2,4 ms
Interfaz de Memoria:SPI - E/S cuádruples, QPI

Características clave

La tecnología
FLASH - NO
Tipo de memoria
No volátil
Organización de la memoria
128M x 8 millones
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
1 gigabit
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Componentes de Chips Electrónicos
-Tensión de alimentación
2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj
100 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
50 µs, 2,4 ms
Interfaz de Memoria
SPI - E/S cuádruples, QPI

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores
Devolución fácil
3,770 - 6,769 unidades
EUR 982
>= 6,770 unidades
EUR 491

Variantes

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Especificación

POR25QM1GFSZIG(Y)

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