Componentes Electrónicos en Existencia, Compre en Línea Componentes Electrónicos, Memoria W66BP2NQUAHJ TR 200 TFBGA
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Atributos
Componente y PiezaTipo
2 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Circuito Integrado (IC)Características
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM - LPDDR4 móvil
-Tensión de alimentación:1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:2,133 GHz
Organización de la memoria:64M por 32
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:18 segundos
Interfaz de Memoria:LVSTL_11
Características clave
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
2 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Circuito Integrado (IC)
Tipo de memoria
VOLÁTIL
La tecnología
SDRAM - LPDDR4 móvil
-Tensión de alimentación
1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj
2,133 GHz
Organización de la memoria
64M por 32
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
18 segundos
Interfaz de Memoria
LVSTL_11
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
2,500 - 5,499 unidades
EUR 1.74
>= 5,500 unidades
EUR 0.8696
Variantes
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W66BP2NQUAHJ TRA
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