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Componentes Electrónicos en Stock, Compre Componentes Electrónicos en Línea, Memoria K6F2016U4E-EF70T

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Código de fecha de fabricación

Características principales

Marca

Original

Número de pieza del fabricante

K6F2016U4E-EF70T

Tipo de montaje

Montaje en superficie

Tamaño de la memoria

2Mbit

Lugar del origen

China

Descripción

SRAM asíncrona lenta 2M 128Kx16 3.3V

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Características clave

Marca
Original
Número de pieza del fabricante
K6F2016U4E-EF70T
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Tamaño de la memoria
2Mbit
Lugar del origen
China
Descripción
SRAM asíncrona lenta 2M 128Kx16 3.3V
Tipo de embajaje
Cinta y carrete (TR)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TA)
PAQUETE/cubierta
-
Serie
-
Tipo de memoria
VOLÁTIL
La tecnología
SRAM - Asíncrona
-Tensión de alimentación
2.7V ~ 3.6V
Frecuencia de reloj
-
Organización de la memoria
128K x 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
70ns
Interfaz de memoria
Paralelo
Formato de memoria
SRAM

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

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