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Componentes Electrónicos en Stock, Compre Transistores RQ3L270BJFRATCB 8-HSMT en Línea

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100-3,099 unidades
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≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

RQ3L270BJFRATCB

Marca

Original

Descripción

PCH -60V -27A, HSMT8AG, POWER MO

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

8-HSMT (3.2x3)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

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Características clave

FET característica
-
PAQUETE/cubierta
8-HSMT (3.2x3)
Descripción
PCH -60V -27A, HSMT8AG, POWER MO
Número de pieza del fabricante
RQ3L270BJFRATCB
Marca
Original
Lugar del origen
China
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
P-Channel
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
60 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
27A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
47mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 584µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1780 pF @ 30 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
+5V, -20V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal P
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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