Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
4 Gbit (NAND), 4 Gbit (LPDDR4)Tamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
CajaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuitos Integrados (IC)
Tipo de memoria:No Volátil, Volátil
La tecnología:FLASH - NAND (SLC), DRAM - LPDDR4
-Tensión de alimentación:1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:2,133 GHz
Organización de la memoria:512M x 8 (NAND), 128M x 32 (LPDDR4)
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:30 segundos
Interfaz de Memoria:ONFI
